SOI-ASIC

 
CCD専用ASIC開発ASIC.html
CCD素子
基礎開発CCD_su_zi_kai_fa.html

 SOI(silicon on insulator)プロセス(従来のIC製造プロセスよりも低消費電力かつ高放射線耐性の製造プロセス)を用いて作られたX線CCD信号処理用ASICとしては世界初。消費電力は1チャンネル当たり2.8mWである。従来の製造プロセスで開発しているSXI搭載用ASICの1チャンネル当たりの消費電力40mWと比較すると、大きく改善している。

屈折コントラストX線撮像qu_zhekontorasuto_cuo_xiang.html
X線天文衛星
すざく/XIS
suzakuXIS.html
宇宙ステーション
MAXI/SSCMAXI_SSC.html
次期X線天文衛星
ASTRO-H/
SXIASTRO-H_SXI.html
小型衛星計画
FFAST/
SD-CCDFFAST_SD-CCD.html
大気球観測実験
PHENEXPHENEXtoha.html
小型衛星計画
PolariSPolariS.html

SOI-ASIC

(CCD-TEG)

Mask layout

2.5mm

1チャンネル